鎳鐵合金材料Pt器件從LRS切換到HRS。當(dāng)在1.8 ~ 2.2 V電壓范圍內(nèi)增加電壓發(fā)生軟擊穿時(shí)，器件由HRS切換為L(zhǎng)RS。鎳鐵合金材料具有反尖晶石結(jié)構(gòu)，其Fe-O鍵比Ni-O鍵更強(qiáng)，導(dǎo)致氧空位形成。顯示了改變Fe3+和Ni2+離子的價(jià)態(tài)時(shí)的磁還原效應(yīng)。氧空位和陽離子的還原可能導(dǎo)致磁化強(qiáng)度的降低和電導(dǎo)率的增加。由于氧空位的湮沒(熱效應(yīng)驅(qū)動(dòng))和陽離子價(jià)的變化(復(fù)位過程中的氧化還原效應(yīng))導(dǎo)致了絲的斷裂。圖3(c)和(d)描述了鎳鐵合金材料薄膜中導(dǎo)電絲的形成和斷裂過程。
利用熔體紡絲技術(shù)合成了厚度為~ 40 ~ 50 μm，長(zhǎng)度為~ 1 ~ 2 cm的Cu50Mn25Al25-xGax (x = 0,2,4,8和10)合金。用Ga取代Al對(duì)合金體系的晶格常數(shù)和價(jià)電子比(e/a)沒有明顯的改變，這是值得關(guān)注的。討論了熱處理對(duì)Cu50Mn25Al25-xGax帶磁性和相變行為的影響。研究了Cu50Mn25Al25-xGax合金中Ga取代后的結(jié)構(gòu)/微觀結(jié)構(gòu)變化及其與磁性能的關(guān)系。研究鎳鐵合金材料Ga取代對(duì)Heusler相穩(wěn)定性的影響。熔鑄Cu50Mn25Al25-xGax (x = 0,2,4,8和10合金的XRD譜圖所示。單一的赫斯勒階段Cu2MnAl結(jié)構(gòu)觀察合金與x = 0, 2, 4, 8,而合金x = 10顯示一些衍射峰對(duì)應(yīng)于Cu9Al4類型階段。
因此可以說，在Ga取代合金材料中也觀察到了Heusler相，并且在x = 8時(shí)是穩(wěn)定的。含x >的合金除形成Heusler相外，還析出了γ-Cu9Al4型額外晶相;8. 從x = 0到x = 8，合金的晶格參數(shù)略有增加。這是由于Ga和Al的原子大小幾乎相等。表1顯示了晶格參數(shù)隨Ga含量的變化。當(dāng)x = 10時(shí)，晶格參數(shù)沒有明顯的增加。8可能是由于Ga原子的過量，不再取代晶體結(jié)構(gòu)中相應(yīng)數(shù)量的Al原子。因此，Heusler相的晶格常數(shù)幾乎保持不變。因此，鎳鐵合金材料中Ga原子只能在0≤x≤8的含量范圍內(nèi)替代Al原子。因此，x = 8是臨界Ga濃度(xc)，超過此濃度的合金具有混合相。
新時(shí)代，新技術(shù)層出不窮，我們關(guān)注，學(xué)習(xí)，希望在未來能夠與時(shí)俱進(jìn)，開拓創(chuàng)新。